65nanometrová SRAM

Archiv | 01.01.04

Společnost Intel vyrobila pomocí nového 65nanometrového výrobního postupu prvníplně funkční SRAM (Static Random Access Memory) čipy. Nový výrobní postup využívá výkonnější a ene...





Společnost Intel vyrobila pomocí nového 65nanometrového výrobního postupu první
plně funkční SRAM (Static Random Access Memory) čipy. Nový výrobní postup
využívá výkonnější a energeticky méně náročné tranzistory, druhou generaci
napnutého křemíku společnosti Intel, vysokorychlostní měděné spoje a nenasycený
dielektrický materiál. Pomocí 65nm výrobní technologie bude Intel moci na jeden
čip umístit dvojnásobné množství tranzistorů než v současnosti.
Zdokonalené tranzistory: nový 65nm výrobní postup bude využívat tranzistory s
hradlem o délce 35 nm, což bude nejmenší a nejvýkonnější vyráběný CMOS
tranzistor. Pro srovnání, dnešní tranzistory, používané v procesoru Intel
Pentium 4, měří 50 nm. Malé, rychlé tranzistory jsou základním prvkem velmi
rychlých procesorů. Napnutý křemík: Intel do nové výrobní technologie integruje
druhou generaci svého výkonného napnutého křemíku. Tento křemík má vyšší budicí
proud, což výrazně zvyšuje jeho rychlost, a to při navýšení výrobních nákladů o
pouhá dvě procenta. Měděné spoje a nový nenasycený dielektrický materiál: v
rámci výrobního postupu se vytváří osm propojovacích měděných vrstev a využívá
se nový dielektrický materiál, což zvyšuje přenosové rychlosti uvnitř procesoru
a snižuje celkovou spotřebu energie. Společnost Intel pomocí 65nm postupu
vytvořila plně funkční čtyřmegabytový SRAM čip s miniaturní buňkou o velikosti
0,57 mm2. Malé rozměry SRAM buňky umožní do procesoru integrovat větší
vyrovnávací paměť, zvyšující jeho výkon. Vyrobené SRAM buňky mají stabilní
pracovní charakteristiku a solidní odstup signálu od šumu, což ukazuje
potenciál velmi efektivního přepínání. Každá paměťová buňka typu SRAM obsahuje
šest tranzistorů: 10 milionů takových tranzistorů by se vešlo do jednoho
čtverečního milimetru to je zhruba velikost tečky vytvořené kuličkovým perem.
65nm polovodičové prvky byly vyrobeny ve vývojovém závodě D1D společnosti
Intel, který se předtím věnoval 300mm technologii ve městě Hillsboro, Oregon,
USA, kde byl celý proces zároveň vyvíjen. D1D je nejnovější továrnou
společnosti Intel a obsahuje největší prostory s čistým prostředím, celkově 20
000 metrů čtverečních, což jsou zhruba dvě a půl fotbalová hřiště. Pro celou
výrobu byla zvláště důležitá příprava místní produkce šablon, vycházející ze
současné 193nm litografie. Předpokládá se, že v 65nm procesu bude možné využít
technické vybavení pro litografii s vlnovou délkou 193 a 248 nm, které se
používá v 90nm procesu. Masová výroba v továrně D1D a její přenos do ostatních
provozů se 300mm pláty by měla začít v roce 2005.
Odkaz: http://www.intel.com












Komentáře

K tomuto článku není připojena žádná diskuze, nebo byla zakázána.